22年12月26日Si基板上にGSR素子を作製する製造法に関する特許を取得しました。

• 22年12月26日Si基板上にGSR素子を作製する製造法に関する特許を取得しました。

発明の名称 ：　磁界検出素子の製造方法（第７２０１１９４号）
この発明は、GSR素子を安定的に形成することを可能にしたGSR素子製造方法に関する基本特許である。具体的には、Si基板上に逆台形状の溝部を形成し、そこにネガレジスト系樹脂被膜を塗布・キュア処理して、丸みのある溝部を形成することにより下部コイルの断線防止を図るものである。
図は、Si基板溝に沿って形成したGSR素子の断面図である。

添付資料：特許第7201194号