23年1月30日ASIC基板上にGSR素子を直接形成する製造法の特許を２件取得しました。

• 23年1月30日ASIC基板上にGSR素子を直接形成する製造法の特許を２件取得しました。

(1)発明の名称 ：　GSR素子の製造方法（第７２０３４００号）
この発明は、ＡＳＩＣ基板上にＧＳＲ素子を直接形成するＧＳＲ素子の製造方法に関する基本特許である。
具体的には、ＡＳＩＣ基板上に、逆台形状の溝と視認性の高いアライメントマークをポジレジスト系感光性樹脂の塗布・露光・現像後にキュア処理して形成する。次いで、下部コイルの形成、磁性ワイヤの配置、上部コイルと電極配線を形成することによりASIC一体型のGSRセンサの作製を可能とする。
図は、ASIC基板の溝に沿って形成したGSR素子の断面図である。

添付資料：特許第7203400号

(2)発明の名称　：　GSR素子の製造方法（特許第７２０７６７６号）
この発明は、微細なピッチコイルからなるＧＳＲ素子をＡＳＩＣ基板上に直接形成するＧＳＲ素子の製造方法に関する基本特許である。
具体的には、ＡＳＩＣ基板上に、逆台形状の溝と視認性の高いアライメントマークをポジレジスト系感光性樹脂の塗布・露光・現像後にキュア処理して形成する２層樹脂被膜法を採用して、ＡＳＩＣ基板の本来的な凹凸を解消してＡＳＩＣ基板と複数個のマスクを合わせる方法である。
これにより、３．０μｍ以下の微細なコイルピッチからなる超高感度のＧＳＲセンサを可能とする。
図は、ASIC基板上の第一台座の上に形成した第二台座にＧＳＲ素子とアライメントマークの断面図である。

添付資料：特許第7207676号

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